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基于Pareto前沿的单晶Si放电加工工艺参数优化
优化·可靠性 | 更新时间:2022-09-22
    • 基于Pareto前沿的单晶Si放电加工工艺参数优化

    • THE OPTIMIZATION OF THE PROCESS PARAMETERS IN THE COURSE OF THE ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING OF THE MONOCRYSTALLINE SILICON WHICH IS BASED ON THE PARETO FRONTIER

    • 机械强度   2017年39卷第5期 页码:1092-1098
    • 作者机构:

      1. 西安理工大学高等技术学院

      2. 西安现代控制技术研究所

    • DOI:10.16579/j.issn.1001.9669.2017.05.017    

      中图分类号:

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  • 张立新, 李玉玺, 史卫朝. 基于Pareto前沿的单晶Si放电加工工艺参数优化[J]. 机械强度, 2017,39(5):1092-1098. DOI: 10.16579/j.issn.1001.9669.2017.05.017.

    ZHANG LiXin, LI YuXi, SHI WeiChao. THE OPTIMIZATION OF THE PROCESS PARAMETERS IN THE COURSE OF THE ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING OF THE MONOCRYSTALLINE SILICON WHICH IS BASED ON THE PARETO FRONTIER[J]. 2017,39(5):1092-1098. DOI: 10.16579/j.issn.1001.9669.2017.05.017.

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